Angaben zur Identifikation |
| Signatur: | 504 Mikroel Stahnsdorf 20 |
| Titel: | Anlage 2 zum Themenabschlussbericht innerhalb des Hauptthemas "Verfahren der Analogintegration": "GaAs (Galliumarsenid)-Epitaxie" |
| Darin: | Enthält u. a.: Undotierte GaAs-Epitaxieschichten nach dem AsCl3 (Arsenchlorid)-Verfahren. - Experimentelle Untersuchungen zur GaAs-Liquidphasenepitaxie aus Zinn- bzw. Gallium-Schmelzen. - Diagramme. - Tabellen. - Fotos. |
| Dat. - Findbuch: | 1972 - 1973 |
|
| |
Benutzung |
| Erforderliche Bewilligung: | Keine |
| Physische Benützbarkeit: | Uneingeschränkt |
| Zugänglichkeit: | Öffentlich |
| |
URL für diese Verz.-Einheit |
| URL: |  http://blha-recherche.brandenburg.de/detail.aspx?ID=1120641 |
| |