Angaben zu Inhalt und Struktur |
| Titel: | Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf |
| Dat. - Findbuch: | 1968 - 1996 |
| Vorwort: | Betriebsgeschichte
1948 wurde in den USA der Transistoreffekt entdeckt. Deshalb experimentierte ab 1952/53 eine Forschungsgruppe im VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik „Carl von Ossietzky“ Teltow mit halbleitenden Materialien und stellte unter eher labormäßigen Bedingungen die ersten Transistoren und Dioden her. Die serienmäßige Produktion wurde 1958 in das Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) übergeleitet. In Teltow/Stahnsdorf sollte eine separate Entwicklungsstelle für Halbleitertechnik entstehen. Dazu wurde die Entwicklungsstelle für Halbleiter des VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik ausgegliedert und am 1. Januar 1960 das Institut für Halbleitertechnik gegründet. Im Juni 1960 erfolgte der Baubeginn für den neuen Komplex in Stahnsdorf. Die Übergabe verzögerte sich bis 1964.
1964 begann gleichzeitig eine Umstrukturierung des Instituts. Es wurde dem VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) als unselbstständiger Betriebsteil zugeordnet, firmierte von nun an als Gleichrichterwerk Stahnsdorf und übernahm einen Teil der Produktion von Gleichrichtern. Hinzu kamen Transistoren und Dioden, später auch Mikrochips, Sensoren und Schaltmodule.
Am 1. Januar 1970 wurde innerhalb der VVB Bauelemente und Vakuumtechnik Berlin das Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) geschaffen, dem der nun selbstständige VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf zugeordnet war. 1978 entstand das Kombinat Mikroelektronik Erfurt. Ihm gehörte der Bereich Halbleiterbauelemente (u.a. der VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf) unter Leitung des VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder) an. 1981 wurde das Gleichrichterwerk aus dem Leitbereich herausgelöst, verblieb aber im VEB Kombinat Mikroelektronik Erfurt. Am 6. Januar 1984 erhielt der Betrieb den Namen VEB Mikroelektronik „Karl Liebknecht“ Stahnsdorf.
1990 entstand die Leistungselektronik Stahnsdorf AG, die später liquidiert wurde.
Bestandsgeschichte
Der Bestand wurde 1993 von der Leistungselektronik Stahnsdorf AG ohne Findhilfsmittel übernommen. 1995 wurde der Bestand auf Karteikarten verzeichnet. 2007 erfolgte die Neuverzeichnung in ein Archivverzeichnungsprogramm und Erstellung eines Findbuches. Im Jahre 2014 erfolgte ein Zugang von der Rhenus Office Systems GmbH, der im Jahr 2015 eingearbeitet wurde.
Es wurde versucht, vorhandene Abkürzungen aufzulösen. Sie wurden hinter der Abkürzung in Klammern gesetzt. Durch die Verwendung von fachspezifischer Terminologie war die Zuordnung der Akten zur Klassifikation erschwert.
Abkürzungsverzeichnis
AsCl3 Arsenchlorid
Au Gold
BE Bauelement(e)
CVD Chemical-viper-deposition (Abscheidung aus der Glasphase)
F/E Forschung und Entwicklung
FKS Festkörperschaltkreis
GaAs Galliumsarsenid
GaP Galliumphosphid
GWS Gleichrichterwerk Stahnsdorf
HST Hochspannungstransistor
IHT Institut für Halbleitertechnik Stahnsdorf
IS Integrierter Schaltkreis
LLNÜ Lichtleiternachrichtenübertragung
MET Multi-Epitaxie-Technik
NBT Neue Basistechnologie
NF Niederfrequenz
np negativ-positiv
P Phosphor
pn positiv negativ
pnp positiv negativ positiv
Si Silizium
Si:B Silizium:Bor (?)
SIPOS semi-insulating polycrystalline silicon
Sn Zinn
TCNQ Tetracyanochinidodimethan
TGL Technische Normen, Güterichtlinien und Lieferbedingungen
TS Trägerstreifen (?)
UHF Ultrahochfrequenz
Z Zyklus
ZF Zwischenfrequenz |
| Vorgänger: | VEB Gleichrichterwerk |
| Nachfolger: | LESAG (Leistungselektronik Stahnsdorf AG) |
|
Angaben zum Umfang |
| Umfang: | 1,87 lfm |
|
Angaben zur Benutzung |
| Zitierweise: | BLHA, Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf Nr. |
|
| |
Benutzung |
| Erforderliche Bewilligung: | Keine |
| Physische Benützbarkeit: | Uneingeschränkt |
| Zugänglichkeit: | Öffentlich |
| |
URL für diese Verz.-Einheit |
| URL: |  http://blha-recherche.brandenburg.de/detail.aspx?ID=82315 |
| |